Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1016A
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB1016A
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB1016A kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1016A-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des 2SB1016A-Y im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1016A-Transistor könnte nur mit "B1016A" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1016A ist der 2SD1407A.
SMD-Version des Transistors 2SB1016A
Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB1016A-Transistors.
