Bipolartransistor KSB1097-Y

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB1097-Y

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 100 bis 200
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular 2SB1097-K transistor

Pinbelegung des KSB1097-Y

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB1097-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1097 liegt im Bereich von 40 bis 200, die des KSB1097-O im Bereich von 80 bis 120, die des KSB1097-R im Bereich von 40 bis 80.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1097-Y ist der KSD1588-Y.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB1097-Y

Sie können den Transistor KSB1097-Y durch einen 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, 2SA1290, 2SA1290-R, 2SA1291, 2SA1291-R, 2SA1329, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA1470, 2SA1470-R, 2SA1471, 2SA1471-R, 2SA1742, 2SA1742-M, 2SA1743, 2SA1743-M, 2SA1744, 2SA1744-M, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB1097, 2SB1097-K, 2SB707, 2SB707-Y, 2SB708, 2SB708-Y, 2SB870, 2SB946, 2SB992, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, KSA1010, KSA1010Y, KSB707, KSB707-Y, KSB708, KSB708-Y, MJE15029 oder MJE15029G ersetzen.
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