Bipolartransistor MJE801T

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE801T ist der MJE701T.Sie können den Transistor MJE801T durch einen 2N6043, 2N6043G, 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6532, 2SC3145, 2SD1190, 2SD1191, 2SD1192, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1276, 2SD1276-P, 2SD1276-Q, 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277, 2SD1277-P, 2SD1277-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1825, 2SD1826, 2SD1827, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD635, 2SD837, 2SD837-P, 2SD837-Q, 2SD837-R, 2SD837A, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, 2SD837A-R, BD645, BD647, BD649, BD651, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BD901, BDT61, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW23A, BDW23B, BDW23C, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63A, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93A, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJE800T, MJE802T, MJE803T, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP120, TIP120G, TIP121, TIP121G, TIP122, TIP122G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP140T, TIP141T, TIP142T oder TTD1415B ersetzen.