Bipolartransistor 2SD635

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD635

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD635

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD635-Transistor könnte nur mit "D635" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD635 ist der 2SB675.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD635

Sie können den Transistor 2SD635 durch einen 2N6043, 2N6043G, 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2SD1191, 2SD1192, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1826, 2SD1827, 2SD1830, 2SD633, 2SD634, BD203, BD303, BD535, BD537, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD645, BD647, BD649, BD651, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BD901, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP140T, TIP141T, TIP142T oder TTD1415B ersetzen.
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