Bipolartransistor 2SD1277A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1277A-Q

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 45 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 5000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1277A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1277A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1277 liegt im Bereich von 2000 bis 10000, die des 2SD1277-P im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SD1277-Q im Bereich von 2000 bis 5000, die des 2SD1277A im Bereich von 2000 bis 10000, die des 2SD1277A-P im Bereich von 4000 bis 10000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1277A-Q-Transistor könnte nur mit "D1277A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1277A-Q ist der 2SB951A-Q.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1277A-Q

Sie können den Transistor 2SD1277A-Q durch einen 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1196, 2SD1830, BD537, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T oder TIP142T ersetzen.
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