Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB601-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 3000 bis 7000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KSB601-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSB601-O kann eine Gleichstromverstärkung von 3000 bis 7000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB601 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des KSB601-R im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB601-Y im Bereich von 5000 bis 15000.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSB601-O ist der KSD560-O.