Bipolartransistor BDW40

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW40

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 85 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDW40

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW40 ist der BDW45.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW40

Sie können den Transistor BDW40 durch einen BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.

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