Bipolartransistor TTD1415B

Elektrische Eigenschaften des Transistors TTD1415B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des TTD1415B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TTD1415B ist der TTB1020B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TTD1415B

Sie können den Transistor TTD1415B durch einen 2N6045, 2N6045G, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1830, 2SD633, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP132, TIP132G oder TIP142T ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com