Bipolartransistor TTD1415B
Elektrische Eigenschaften des Transistors TTD1415B
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
- Verlustleistung, max: 25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des TTD1415B
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor TTD1415B
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