Bipolartransistor TIP102

Elektrische Eigenschaften des Transistors TIP102

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des TIP102

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

TIP102 equivalent circuit

Kennzeichnung

Der TIP102-Transistor ist als "TIP102" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum TIP102 ist der TIP107.

Ersatz und Äquivalent für Transistor TIP102

Sie können den Transistor TIP102 durch einen 2N6045, 2N6045G, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP102G oder TIP142T ersetzen.

Bleifreie Version

Der TIP102G-Transistor ist die bleifreie Version des TIP102.
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