Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD2495-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 110 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
Verlustleistung, max: 60 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 6500 bis 20000
Übergangsfrequenz, min: 60 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD2495-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD2495-P kann eine Gleichstromverstärkung von 6500 bis 20000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD2495 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SD2495-O im Bereich von 5000 bis 12000, die des 2SD2495-Y im Bereich von 15000 bis 30000.
Equivalent circuit
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD2495-P-Transistor könnte nur mit "D2495-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD2495-P ist der 2SB1626-P.
