Bipolartransistor BDX33BG

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDX33BG

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 70 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der BDX33BG ist die bleifreie Version des BDX33B-Transistors

Pinbelegung des BDX33BG

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDX33BG equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDX33BG ist der BDX34BG.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDX33BG

Sie können den Transistor BDX33BG durch einen 2N6388, 2N6388G, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, MJF6388, MJF6388G, TIP141T oder TIP142T ersetzen.
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