Bipolartransistor 2SD1191

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1191

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD1191

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1191-Transistor könnte nur mit "D1191" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1191 ist der 2SB881.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1191

Sie können den Transistor 2SD1191 durch einen 2SD1192, 2SD1277, 2SD1277-P, 2SD1277-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1826, 2SD1827, 2SD633, 2SD634, 2SD635, MJF6388, MJF6388G oder TTD1415B ersetzen.
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