Bipolartransistor 2N6387

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6387

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
  • Verlustleistung, max: 65 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2N6387

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

2N6387 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2N6387 ist der 2N6667.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6387

Sie können den Transistor 2N6387 durch einen 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, BD545A, BD545B, BD545C, BD807, BD809, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, D44H11, D44H11FP, D44H8, TIP140T, TIP141T oder TIP142T ersetzen.

Bleifreie Version

Der 2N6387G-Transistor ist die bleifreie Version des 2N6387.
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