Bipolartransistor 2SD1414

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1414

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1414

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1414-Transistor könnte nur mit "D1414" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1414 ist der 2SB1024.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1414

Sie können den Transistor 2SD1414 durch einen 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G oder TTD1415B ersetzen.
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