Bipolartransistor MJF122G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF122G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular TIP122G transistor
  • Der MJF122G ist die bleifreie Version des MJF122-Transistors

Pinbelegung des MJF122G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

MJF122G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJF122G ist der MJF127G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF122G

Sie können den Transistor MJF122G durch einen 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF6388, MJF6388G oder TTD1415B ersetzen.
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