Bipolartransistor MJF122G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJF122G
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 30 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular TIP122G transistor
- Der MJF122G ist die bleifreie Version des MJF122-Transistors
Pinbelegung des MJF122G
Equivalent circuit
![MJF122G equivalent circuit](/images/bipolar-transistor/mjf122g-equivalent-circuit.jpg)
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJF122G
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