Bipolartransistor BDW42G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW42G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 85 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der BDW42G ist die bleifreie Version des BDW42-Transistors

Pinbelegung des BDW42G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDW42G equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW42G ist der BDW47G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW42G

Sie können den Transistor BDW42G durch einen BDW42, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.
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