Bipolartransistor KSB601

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSB601

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSB601

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSB601 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 15000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB601-O liegt im Bereich von 3000 bis 7000, die des KSB601-R im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSB601-Y im Bereich von 5000 bis 15000.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSB601 ist der KSD560.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSB601

Sie können den Transistor KSB601 durch einen 2N6045, 2N6045G, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD560, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSD560, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F oder TTD1415B ersetzen.
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