Bipolartransistor 2SD1277-P

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
• Verlustleistung, max: 45 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 4000 bis 10000
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1277-P kann eine Gleichstromverstärkung von 4000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1277 liegt im Bereich von 2000 bis 10000, die des 2SD1277-Q im Bereich von 2000 bis 5000, die des 2SD1277A im Bereich von 2000 bis 10000, die des 2SD1277A-P im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SD1277A-Q im Bereich von 2000 bis 5000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1277-P-Transistor könnte nur mit "D1277-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1277-P ist der 2SB951-P.Sie können den Transistor 2SD1277-P durch einen 2N6043, 2N6043G, 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1192, 2SD1196, 2SD1827, 2SD1830, BD203, BD303, BD535, BD537, BD543A, BD543B, BD543C, BD545A, BD545B, BD545C, BD645, BD647, BD649, BD651, BD797, BD799, BD801, BD807, BD809, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BD901, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX77, D44H11, D44H11FP, D44H8, MJE15028, MJE15028G, MJF6388, MJF6388G, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP140T, TIP141T oder TIP142T ersetzen.