Bipolartransistor BD651

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD651

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 140 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 62.5 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD651

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD651 ist der BD652.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD651

Sie können den Transistor BD651 durch einen BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW73D oder BDX33D ersetzen.

Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com