Bipolartransistor 2SD633
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD633
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD633
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD633-Transistor könnte nur mit "
D633" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum 2SD633 ist der
2SB673.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD633
Sie können den Transistor 2SD633 durch einen
2N6045,
2N6045G,
2SD1196,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1830,
BD543C,
BD545C,
BD649,
BD651,
BD801,
BD901,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65B,
BDT65C,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP102,
TIP102G,
TIP132,
TIP132G,
TIP142T oder
TTD1415B ersetzen.
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