Bipolartransistor BDT61C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT61C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT61C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT61C ist der BDT60C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT61C

Sie können den Transistor BDT61C durch einen BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW53D, BDW63D, BDW73D oder BDX33D ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com