Bipolartransistor BDW53C
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW53C
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDW53C
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BDW53C ist der
BDW54C.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW53C
Sie können den Transistor BDW53C durch einen
2SD772,
2SD772A,
2SD792,
2SD792A,
BD243C,
BD539C,
BD539D,
BD543C,
BD545C,
BD649,
BD651,
BD801,
BD901,
BD953,
BD955,
BDT61B,
BDT61C,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW23C,
BDW53D,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP41D,
TIP41E,
TIP41F,
TIP42D,
TIP42E oder
TIP42F ersetzen.
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