Bipolartransistor BDW93B
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW93B
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
- Verlustleistung, max: 80 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 2000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDW93B
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW93B
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