Bipolartransistor BDW93B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW93B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 2000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDW93B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW93B ist der BDW94B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW93B

Sie können den Transistor BDW93B durch einen BD545B, BD545C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW93C oder BDW93CF ersetzen.
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