Bipolartransistor BDT65C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT65C

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT65C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT65C ist der BDT64C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT65C

Sie können den Transistor BDT65C durch einen BDW43 ersetzen.

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