Bipolartransistor 2SD1830

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1830

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1500
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1830

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1830-Transistor könnte nur mit "D1830" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1830 ist der 2SB1228.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1830

Sie können den Transistor 2SD1830 durch einen 2SD1196, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.
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