Bipolartransistor BDT65A

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDT65A ist der BDT64A.Sie können den Transistor BDT65A durch einen BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.