Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD560-Y
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 5000 bis 15000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des KSD560-Y
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSD560-Y kann eine Gleichstromverstärkung von 5000 bis 15000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD560 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des KSD560-O im Bereich von 3000 bis 7000, die des KSD560-R im Bereich von 2000 bis 5000.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD560-Y ist der KSB601-Y.