Bipolartransistor BDW63B
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW63B
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
- Verlustleistung, max: 60 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDW63B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BDW63B ist der
BDW64B.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW63B
Sie können den Transistor BDW63B durch einen
2SC1986,
2SC2316,
2SD823,
BD243B,
BD243C,
BD537,
BD543B,
BD543C,
BD545B,
BD545C,
BD647,
BD649,
BD651,
BD799,
BD801,
BD809,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW23B,
BDW23C,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP41D,
TIP41E,
TIP41F,
TIP42D,
TIP42E oder
TIP42F ersetzen.
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