Bipolartransistor BDW93C

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW93C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 12 A
  • Verlustleistung, max: 80 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 2000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDW93C

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW93C ist der BDW94C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW93C

Sie können den Transistor BDW93C durch einen BD545C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F oder BDW93CF ersetzen.
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