Bipolartransistor 2SD1196

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1196

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1500
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD1196

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1196-Transistor könnte nur mit "D1196" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1196

Sie können den Transistor 2SD1196 durch einen 2SD1830, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.
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