Bipolartransistor MJE800T

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 50 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE800T ist der MJE700T.Sie können den Transistor MJE800T durch einen 2N6043, 2N6043G, 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6532, 2SC3145, 2SD1190, 2SD1191, 2SD1192, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1276, 2SD1276-P, 2SD1276-Q, 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277, 2SD1277-P, 2SD1277-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1825, 2SD1826, 2SD1827, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD635, 2SD837, 2SD837-P, 2SD837-Q, 2SD837-R, 2SD837A, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, 2SD837A-R, BD645, BD647, BD649, BD651, BD897, BD897A, BD899, BD899A, BD901, BDT61, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW23A, BDW23B, BDW23C, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63A, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73A, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93A, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53A, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJE801T, MJE802T, MJE803T, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP100, TIP100G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP120, TIP120G, TIP121, TIP121G, TIP122, TIP122G, TIP130, TIP130G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP140T, TIP141T, TIP142T oder TTD1415B ersetzen.