Bipolartransistor BDT61
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT61
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDT61
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BDT61 ist der
BDT60.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT61
Sie können den Transistor BDT61 durch einen
2N6043,
2N6043G,
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6387,
2N6387G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SC3145,
2SD1190,
2SD1191,
2SD1192,
2SD1195,
2SD1196,
2SD1276,
2SD1276-P,
2SD1276-Q,
2SD1276A,
2SD1276A-P,
2SD1276A-Q,
2SD1277,
2SD1277-P,
2SD1277-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1414,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1825,
2SD1826,
2SD1827,
2SD1829,
2SD1830,
2SD1891,
2SD1891-P,
2SD1891-Q,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2241,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
2SD634,
2SD635,
2SD837,
2SD837-P,
2SD837-Q,
2SD837-R,
2SD837A,
2SD837A-P,
2SD837A-Q,
2SD837A-R,
BD645,
BD647,
BD649,
BD651,
BD897,
BD897A,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT61A,
BDT61B,
BDT61C,
BDT63,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW23A,
BDW23B,
BDW23C,
BDW40,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW53A,
BDW53B,
BDW53C,
BDW53D,
BDW63A,
BDW63B,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73A,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93A,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33A,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53A,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJE800T,
MJE801T,
MJE802T,
MJE803T,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP100,
TIP100G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP120,
TIP120G,
TIP121,
TIP121G,
TIP122,
TIP122G,
TIP130,
TIP130G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP140T,
TIP141T,
TIP142T oder
TTD1415B ersetzen.
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