Bipolartransistor BDW63D

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
• Verlustleistung, max: 60 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750 bis 20000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW63D ist der BDW64D.Sie können den Transistor BDW63D durch einen BD651, BDT87, BDT87F, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.