Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1891-Q
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 90 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
Verlustleistung, max: 40 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SD1891-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1891-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1891 liegt im Bereich von 5000 bis 30000, die des 2SD1891-P im Bereich von 5000 bis 15000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1891-Q-Transistor könnte nur mit "D1891-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1891-Q ist der 2SB1251-Q.