Bipolartransistor 2SD560-LB

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD560-LB

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 3000 bis 7000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des 2SD560-LB

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD560-LB kann eine Gleichstromverstärkung von 3000 bis 7000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD560 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des 2SD560-KB im Bereich von 5000 bis 15000, die des 2SD560-MB im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD560-LB-Transistor könnte nur mit "D560-LB" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD560-LB ist der 2SB601-L.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD560-LB

Sie können den Transistor 2SD560-LB durch einen 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSB601, KSB601-O, KSD560, KSD560-O, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, MJF6388, MJF6388G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F oder TTD1415B ersetzen.
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