Bipolartransistor MJE803T
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE803T
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des MJE803T
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum MJE803T ist der
MJE703T.
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE803T
Sie können den Transistor MJE803T durch einen
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SD1195,
2SD1196,
2SD1276A,
2SD1276A-P,
2SD1276A-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1414,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1829,
2SD1830,
2SD1891,
2SD1891-P,
2SD1891-Q,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2241,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
2SD634,
2SD837A,
2SD837A-P,
2SD837A-Q,
2SD837A-R,
BD647,
BD649,
BD651,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT61A,
BDT61B,
BDT61C,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW23B,
BDW23C,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW53B,
BDW53C,
BDW53D,
BDW63B,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJE802T,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP121,
TIP121G,
TIP122,
TIP122G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T,
TIP142T oder
TTD1415B ersetzen.
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