Bipolartransistor MJE803T

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE803T

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 50 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des MJE803T

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum MJE803T ist der MJE703T.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE803T

Sie können den Transistor MJE803T durch einen 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6532, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD837A, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, 2SD837A-R, BD647, BD649, BD651, BD899, BD899A, BD901, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW23B, BDW23C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJE802T, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP121, TIP121G, TIP122, TIP122G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T, TIP142T oder TTD1415B ersetzen.
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