Bipolartransistor KSD560

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD560

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des KSD560

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD560 kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 15000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD560-O liegt im Bereich von 3000 bis 7000, die des KSD560-R im Bereich von 2000 bis 5000, die des KSD560-Y im Bereich von 5000 bis 15000.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD560 ist der KSB601.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD560

Sie können den Transistor KSD560 durch einen 2N6045, 2N6045G, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD560, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSB601, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F oder TTD1415B ersetzen.
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