Bipolartransistor KSB601-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
• Verlustleistung, max: 30 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000 bis 5000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB601-R kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 5000 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB601 liegt im Bereich von 2000 bis 15000, die des KSB601-O im Bereich von 3000 bis 7000, die des KSB601-Y im Bereich von 5000 bis 15000.Der komplementäre PNP-Transistor zum KSB601-R ist der KSD560-R.Sie können den Transistor KSB601-R durch einen 2N6045, 2N6045G, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD560, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD243C, BD539C, BD539D, BD543C, BD545C, BD649, BD651, BD801, BD901, BD953, BD955, BDT63B, BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23C, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW63C, BDW63D, BDW73C, BDW73D, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, KSD560, KSD560-R, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF122, MJF122G, MJF15030, MJF15030G, TIP102, TIP102G, TIP122, TIP122G, TIP132, TIP132G, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E, TIP42F oder TTD1415B ersetzen.