Bipolartransistor BD136-10

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 63 bis 160
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD136-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD136 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD136-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD136-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD136-10 ist der BD135-10.Der BCP51 (SOT-223), BCP51-10 (SOT-223), BCX51 (SOT-89) und BCX51-10 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD136-10-Transistors.Sie können den Transistor BD136-10 durch einen 2SA1214, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD136G, BD138, BD138-10, BD138G, BD140, BD140-10, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD176-10, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD188, BD190, BD227, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD376-10, BD378, BD378-10, BD380, BD380-10, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE711 oder MJE712 ersetzen.