Bipolartransistor BD788G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD788G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD788G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD788G

Sie können den Transistor BD788G durch einen BD190, BD788, BD790, BD792, MJE235, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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