Bipolartransistor MJE251

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE251

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE251

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE251 ist der MJE241.

SMD-Version des Transistors MJE251

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE251-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE251

Sie können den Transistor MJE251 durch einen BD790, BD792, MJE250, MJE252, MJE253, MJE253G oder MJE254 ersetzen.
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