Bipolartransistor MJE172G

Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE172G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des MJE172G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors MJE172G

Der BDP952 (SOT-223) und BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE172G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE172G

Sie können den Transistor MJE172G durch einen BD180, BD180G, BD790, BD792, KSE172, MJE172, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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