Bipolartransistor MJE172G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE172G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
- Verlustleistung, max: 12.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 250
- Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des MJE172G
SMD-Version des Transistors MJE172G
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE172G
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com