Bipolartransistor BD138G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD138G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126
  • Der BD138G ist die bleifreie Version des BD138-Transistors

Pinbelegung des BD138G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD138G ist der BD137G.

SMD-Version des Transistors BD138G

Der BCP52 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD138G-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD138G

Sie können den Transistor BD138G durch einen BD138, BD140, BD140G, BD168, BD170, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD229, BD231, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD380, BD788, BD788G, BD790, BD792, MJE235, MJE252, MJE254, MJE711 oder MJE712 ersetzen.
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