Bipolartransistor BD135-10

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 63 bis 160
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD135-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD135 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD135-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD135-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD135-10 ist der BD136-10.Der BCP54 (SOT-223), BCP54-10 (SOT-223), BCX54 (SOT-89) und BCX54-10 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD135-10-Transistors.Sie können den Transistor BD135-10 durch einen 2SD794, 2SD794A, BD131, BD135G, BD137, BD137-10, BD137G, BD139, BD139-10, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD175-10, BD177, BD177-10, BD179, BD179-10, BD179G, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD375-10, BD377, BD377-10, BD379, BD379-10, BD785, BD787, BD787G, BD789, BDX35, BDX36, BDX37, KSD794, KSD794A, KSE181, KSE182, MJE181, MJE181G, MJE182, MJE182G, MJE223, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242, MJE721 oder MJE722 ersetzen.