Bipolartransistor MJE250

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE250 ist der MJE240.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE250-Transistors.Sie können den Transistor MJE250 durch einen BD790, BD792, MJE252 oder MJE254 ersetzen.