Bipolartransistor BD180

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD180

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD180

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD180 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD180-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD180-6 im Bereich von 40 bis 60.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD180 ist der BD179.

SMD-Version des Transistors BD180

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD180-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD180

Sie können den Transistor BD180 durch einen BD180G, BD790, BD792, MJE252 oder MJE254 ersetzen.
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