Bipolartransistor BD136

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD136

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 12.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 250
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD136

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD136 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD136-10 liegt im Bereich von 63 bis 160, die des BD136-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD136-6 im Bereich von 40 bis 100.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD136 ist der BD135.

SMD-Version des Transistors BD136

Der BCP51 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD136-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD136

Sie können den Transistor BD136 durch einen BD132, BD136G, BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD227, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE235, MJE252, MJE711 oder MJE712 ersetzen.

Bleifreie Version

Der BD136G-Transistor ist die bleifreie Version des BD136.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com