Bipolartransistor BD227

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD227 ist der BD226.Der BCP51 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD227-Transistors.Sie können den Transistor BD227 durch einen BD132, BD136, BD136G, BD138, BD138G, BD140, BD140G, BD166, BD168, BD170, BD176, BD178, BD180, BD180G, BD188, BD190, BD229, BD231, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD376, BD378, BD380, BD786, BD788, BD788G, BD790, MJE235, MJE252, MJE711 oder MJE712 ersetzen.