Bipolartransistor BD376-10

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2 A
• Verlustleistung, max: 25 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 63 bis 160
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD376-10 kann eine Gleichstromverstärkung von 63 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD376 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD376-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD376-25 im Bereich von 150 bis 375, die des BD376-6 im Bereich von 40 bis 100.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD376-10 ist der BD375-10.Sie können den Transistor BD376-10 durch einen 2SA1214, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD176, BD176-10, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD378-10, BD380, BD380-10, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251 oder MJE252 ersetzen.