Bipolartransistor MJE252

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 15 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
• Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum MJE252 ist der MJE242.Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des MJE252-Transistors.Sie können den Transistor MJE252 durch einen 2N4920, 2N4920G, 2N6036, 2N6036G, 2SB1168, 2SB1168-Q, 2SB1168-R, 2SB1168-S, 2SB1168-T, BD442, BD442G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, BD790, BD792, KSE702, KSE703, MJE250, MJE251, MJE253, MJE253G, MJE254, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.